我々は、固体表面に吸着している原子･分子について、表面に敏感性を有する陽電子との物理現象を研究したいと考えている。そこで我々は陽電子誘起イオン脱離に注目した。これは、陽電子を物質に低速で入射させ、吸着原子の結合電子と対消滅させることにより吸着原子を電気的に励起させ、イオン化、脱離させるものである。このような現象を実験的に検出させるため東京大学物性研究所で低速陽電子ビームライン及び陽電子誘起イオン脱離装置を建設し、陽電子誘起脱離イオンの検出を行った。
　この装置は、低速陽電子ビーム発生部、陽電子輸送部、陽電子誘起イオン脱離装置チェンバーの測定部から構成される。陽電子ビームの発生は、〜3mCiの²²Naのβ⁺崩壊を利用する。そこから得られる白色の陽電子は、2000℃でアニールされた1μm厚タングステン単結晶膜の減速材に入射する。そこで熱化、拡散して裏側の減速材表面に到達した陽電子を、メッシュとの30Vの電位差をかけ低速陽電子ビームとして引き出す。得られたビーム強度は〜10⁴sec^-1であった。
　陽電子の輸送は、コイルを用いた静磁場によるものと、静電レンズを用いた静電場によるものに分けられる。測定チェンバーの直前までは磁場輸送である。磁場輸送の後端付近で5段の加速管により陽電子を数keV程度まで加速することができる。静電レンズは3段のアインツェルレンズを使用し、試料部に至っている。静電場を用いるのは脱離イオンの飛行に磁場が影響しないようにするためである。また、差動排気を行うことにより測定部の超高真空(測定時〜10^-10Torr)を可能にしている。
　脱離実験では、Niを試料として用い、試料表面より脱離したイオンを検出し、さらにチャンネルトロンの直前で磁場をかけ二次陽電子と脱離イオンの分離を行い、脱離イオンのみを検出した。