薄膜材料は、バルク材料にはない電気的、磁気的特性を持ち、さまざまな方面で応用されているとともに、さらに高品質･高信頼性のものが研究され続けている。それはまさに現代のエレクトロニクスの発展を支えている。磁性薄膜、誘電体薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜などが、その例である。これらの作成法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といったPVD(Physical vapor deposition)や熱CVD、プラズマCVDといったCVD(Chemical vapor deposition)などが用いられる。特に強磁性体金属であるFeを用いた磁性薄膜はさまざまな磁性材料として研究されている。
普通物質中には欠陥と呼ばれるものが多く存在ししている。従来、格子欠陥は”厄介なもの”として認識されてきていたが、半導体の有用な性質は、格子欠陥の存在によるものであり、半導体や高温超伝導などの最先端材料の開発においては”欠陥をどのように導入し、どう制御するか”が重要な問題となっている。
また最近、高温高水素圧下においてFe内に多くの空孔が導入されることが見出されている。
　以上のような背景を元に、本研究では

• 膜厚、基板温度を制御したFe monolayerをMBE法によって超高真空下、水素雰囲気下において作成し、欠陥敏感性を有する低速陽電子ビームを用いて測定し、欠陥サイトから考察を行っている。

• 基板温度を制御したFe monolayerを作成し、その内部構造をX線回折、低速陽電子ビームを用いて測定するとともに、欠陥サイトから考察する。

ということを目的として、実験を行った。

実験方法