陽電子は正の電荷を持つために、同じ正の電荷を持つイオン核から反発力を受け遠ざかろうとする。したがって、完全結晶中では、陽電子が格子間位置に存在する確立が高い。また核の抜けた空孔型欠陥は相対的に負の電荷を持つために、試料中を拡散する陽電子は、そこに捕獲される。これが陽電子の欠陥敏感性である。近年では、このような性質を利用して陽電子をプローブとした物質内部のミクロ的な観点からの研究が盛んになっている。

　線源から放出される陽電子は白色（連続的なエネルギーを持つ）であるが、これを単色なエネルギー可変の陽電子ビームにすることによって、物質表面からバルクまで任意の位置に陽電子を打ち込めるようになった。この手法を用いれば、表面からバルクの電子状態の変化や格子欠陥分布を測定することができる。

　我々は、このような陽電子の欠陥敏感性を用いて、金属薄膜の深さ方向に対する欠陥分布について研究している。